Spécifications techniques de la cible rotative – Matériau et pureté des semi-conducteursMatériaux de base : Cu, Ta, Co, Ru, W, TiN, TaN (pureté 5N-6N : 99,999 % – 99,9999 %)Limites d'impuretés :Oxygène : < 20 ppmAzote : < 50 ppmHydrogène : < 1 ppmContaminants métalliques (Fe, Ni, Cr) : < 1 ppm chacunVérifié par ICP-MS et analyse de fusion de gaz inerte selon SEMI M11-12Conception structurelleForme : Géométrie cylindrique, diamètre intérieur 75–150 mm, longueur 300–1 200 mmSupport : Tube en cuivre sans oxygène-(OFC), diffusion-lié par pressage à chaud sous vide : > 30 MPa à 25 degrés ; stable sous cycle thermique (-40 degrés à 300 degrés) Finition de surface : Ra inférieur ou égal à 0,2 μm ; pas de microfissures, inclusions ou porosité (vérifié par SEM/EDS)
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Description
Spécification du produit de la cible rotative – Qualité semi-conducteur
Présentation du produit Notre "cible rotative" d'ultra-haute-pureté est une cible de pulvérisation cylindrique conçue pour la fabrication avancée de semi-conducteurs. Construit à partir de métaux purs 5N–6N (99,999 % -99,9999 %)-y compris Cu, Ta, Co et Ru-chaque cible est liée à un tube de support en cuivre usiné avec précision-par soudage par diffusion. Cette conception garantit la stabilité thermique sous pulvérisation magnétron DC/RF à haute puissance, permettant des cycles de dépôt continus et ininterrompus dans des usines logiques et de mémoire de 7 nm et moins.
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Caractéristiques de performance
Efficacité d'utilisation : permet d'atteindre une utilisation de matériaux de 75 à 85 %-plus de 2 fois supérieure aux objectifs planaires (30 à 50 %)-réduisant le gaspillage de matières premières et la fréquence de remplacement Uniformité du dépôt : un profil d'érosion uniforme sur la surface cylindrique garantit une variation d'épaisseur de ± 2 % sur des tranches de 300 mm, ce qui est essentiel pour les interconnexions inférieures à 5 nm
Thermal Stability: Bond interface withstands >Températures de fonctionnement de 300 degrés ; Le MTBF dépasse 550 kWh sous pulvérisation de Cu à haute-puissance, soit une amélioration de 80 % par rapport aux objectifs liés standard. Contrôle de pureté et de contamination : O < 0,0020 %, N < 0,005 %, H < 0,0001 % selon GB/T 5235-2021 ; certifié par ICP-MS et analyse de fusion de gaz inerte Finition de surface : Ra < 0,2 μm ; exempt d'oxydes, d'inclusions ou de microfissures pour éviter les arcs électriques et la génération de particules
Champs d'application
Couches d'interconnexion : Cu et Ru cible rotative pour le câblage damasquiné dans les transistors GAA de 3 nm Couches barrière : TaN et TiN cible rotative pour l'adhésion de la couche atomique-dans les processus de remplissage Advanced Packaging : CoW et NiPt rotary target pour le packaging au niveau de la plaquette-ventilée-(FOWLP) Mémoire haute-densité : cible rotative Al et W pour le dépôt d'électrodes à pile NAND 3D
-Exigences centrées sur le client
Réduction des coûts : réduction du coût cible par tranche de 40 à 60 % grâce à une durée de vie prolongée et à une réduction des temps d'arrêt Amélioration du rendement : minimise les défauts induits par les particules-(<0.1/cm²) via ultra-clean processing and vacuum-sealed packaging Compatibilité des processus : conçu pour une puissance RF de 13,56 MHz et une puissance CC de 10 à 20 kW ; compatible avec les chambres PVD existantes (Applied Materials, Lam Research) Fiabilité de la chaîne d'approvisionnement : traçabilité complète depuis la matière première (JX Nippon, Materion) jusqu'à l'inspection finale ; Certifié ISO 9001/14001
Conformité technique
Normes : ASTM B814-14, SEMI M11-12, GB/T 5235-2021 Emballage : sous vide-scellé dans un film laminé en aluminium-avec déshydratant ; expédié dans des conteneurs purgés à l'azote- Certification : Chaque lot comprend un COA avec analyse des grains ICP-MS, XRF et EBSD.
La "cible rotative" n'est pas simplement un consommable - : c'est un outil de processus. En maximisant l'utilisation, en minimisant les défauts et en permettant un fonctionnement stable à haute -puissance, il prend directement en charge la transition vers des nœuds semi-conducteurs inférieurs à 3 nm.
La « cible rotative » offre une efficacité, une pureté et une stabilité inégalées pour la fabrication de semi-conducteurs inférieurs à - 5 nm. Sa conception répond directement aux exigences de l'industrie en matière de rendement, de coût et de continuité des processus dans la fabrication en grand volume.
FAQ
Q : Pourriez-vous fournir une prévision de la durée de vie de la cible rotative ?
R : La durée de vie de la « cible rotative » n'est pas une valeur fixe mais une « fonction calculable » des paramètres de matériau, de géométrie et de processus. Avec une paroi initiale de 5 mm :
Tungsten targets can last over 25,000 kWh - equivalent to >100 jours de fonctionnement continu 24h/24 et 7j/7 à 15 kW Les cibles cuivre, bien que-durée de vie plus courte, restent-rentables en raison de taux de dépôt plus élevés et d'un coût de matériau par tranche inférieur. Pour les usines à rendement critique-, la prédiction de la durée de vie permet une planification proactive des remplacements, réduisant ainsi les temps d'arrêt imprévus jusqu'à 40 %.
Q : Quelles sont les principales applications des cibles rotatives ?
R : Les cibles rotatives constituent le choix courant pour les films conducteurs transparents (TCO) dans l'industrie des écrans plats (FPD), couvrant toutes les principales voies technologiques :
ITO targets: used for pixel electrodes in TFT-LCDs and anode layers in OLEDs, achieving a synergy of high transmittance (>85%) et une faible résistance de la feuille (<10 Ω/).
Cibles IGZO : utilisées pour les couches semi-conductrices d'oxyde à haute-mobilité, prenant en charge la technologie LTPO pour obtenir des taux de rafraîchissement à basse-fréquence et une faible consommation d'énergie dans les panneaux OLED.
Cibles OIBT et IZO : appliquées aux cellules photovoltaïques HJT et aux écrans flexibles, améliorant la mobilité des porteurs et la stabilité environnementale.
Les cibles tournantes sont des matériaux de base pour les interconnexions métalliques et le dépôt de couches barrières dans les processus semi-conducteurs avancés, largement utilisés pour :
Cibles en cuivre (Cu) : dépôt de couches d'interconnexion à faible-résistance dans des puces logiques de 7 nm et moins, remplaçant les interconnexions traditionnelles en aluminium et améliorant la vitesse de transmission du signal.
Cibles en titane (Ti), tantale (Ta) et tungstène (W) : servant de couches barrières de diffusion (telles que TiN et TaN) pour empêcher les atomes métalliques de se diffuser dans le substrat de silicium, garantissant ainsi la stabilité électrique du dispositif.
Exigences de pureté élevées : la pureté cible doit atteindre 5N (99,999 %) ou plus, avec des impuretés contrôlées au niveau du ppb pour éviter les courts-circuits ou les fuites sur les plaquettes.
La structure de filage augmente l'utilisation de la cible à 75–85 %, réduisant considérablement les coûts de matériaux par tranche, ce qui en fait une configuration standard pour les usines de fabrication de tranches de 12 pouces.
Q : Quel est le processus de fabrication des cibles rotatives ?
A : Processus de fabrication de cibles rotatives en métal Applicable aux métaux et alliages ductiles tels que le cuivre (Cu), le titane (Ti), le molybdène (Mo) et le nickel (Ni). Le processus principal est le formage du plastique + le collage par soudage :
Fusion de matières premières et coulée de lingots Les métaux de haute-pureté (pureté supérieure ou égale à 99,95 %) sont fondus dans une atmosphère inerte par fusion par induction sous vide ou par fusion par faisceau d'électrons, éliminant les impuretés gazeuses (O, N, H<1 ppm).
Le lingot est ensuite transformé en une billette colonnaire uniforme par coulée continue électromagnétique, avec une granulométrie contrôlée entre 50 et 100 μm.
Formage du plastique Laminage à chaud/laminage à froid : le lingot est laminé en une plaque épaisse (75 à 80 mm) pour éliminer les défauts de coulée.
Recuit de recristallisation : les cibles en cuivre sont recuites à 450–550 degrés pendant 1 à 2 h, et les cibles en titane sont recuites à 600–700 degrés pour obtenir un réarrangement des grains et améliorer la ductilité.
Pliage et soudage bout à bout : la tôle est pliée en forme d'anneau et les deux extrémités sont soudées bout à bout-en utilisant un soudage par faisceau d'électrons sous vide ou un soudage au laser pour former une ébauche de tube sans soudure.
Liaison de la plaque arrière : des tubes-en cuivre ou en acier inoxydable de haute pureté sont utilisés comme plaque arrière. La conduction thermique et la fixation mécanique sont obtenues grâce aux méthodes suivantes :
Soudage par diffusion : dans un environnement sous vide à 800 degrés, le matériau cible et la plaque arrière forment une couche IMC (composé intermétallique) d'une épaisseur<5 μm.
Indium-based Solder Bonding: Indium solder with a purity >99.9% and a pull strength >50 MPa sont utilisés, adaptés aux cibles de grande-taille.
After bonding, X-ray inspection is required to ensure the absence of porosity and cracks, and a weld ratio >95%.
Usinage fin et inspection : tolérance sur le diamètre extérieur inférieure ou égale à ± 0,05 mm, diamètre intérieur et jeu d'ajustement de la plaque arrière<0.1 mm.
Rugosité de surface Ra Inférieure ou égale à 0,8 μm, amplitude de vibration rotationnelle contrôlée à<0.1 mm through dynamic balance correction.
La force d'adhérence a été testée selon la norme GB/T 39163-2020, avec une granulométrie inférieure ou égale à 50 µm et une densité supérieure ou égale à 99 %.
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